GE-1

Thành Phần Khuyếch Đại Phono

Việc mô–đun hóa phần khuếch đại phono giúp đạt đường dẫn tín hiệu ngắn và khai thác lợi thế của việc đấu nối dây bằng tay kỹ thuật cao, đặc biệt khi
xem xét vòng lặp hồi tiếp âm NFB. Hơn nữa, vòng tín hiệu có độ tinh khiết cao được hình thành bằng cách đặt 4 tụ tách rời xung quanh mô–đun. Ngoài
ra, khi tính toán tới khả năng phối ghép với một bộ tiền khuếch đại bóng bán dẫ, GE–1 có khả năng tải với trở kháng đầu vào thấp tới 20kΩ.

Bộ Lọc Tần Thấp

Điện trở tải ở tầng đầu ra của GE–1 và trở kháng đầu vào của bộ tiền khuếch đại tạo thành tổng trở là 20kΩ. Nó hoạt động như một
bộ lọc tần thấp cùng với tụ điện ghép tầng đầu ra. Thiết kế này mang lại đặc tính tự nhiên và mềm dịu cho bộ lọc, không làm suy giảm chất lượng âm
thanh, trong khi lại giảm được các thành phần âm “ầm ầm” (rumble).

Bộ Cấp Nguồn & Mạch Đốt Nóng Shunt

GE–10i sử dụng bóng chỉnh lưu 6X4, với biến áp nguồn được thiết kế chú trọng giải pháp chống rung sau quá trình kiểm âm và so sánh kỹ lưỡng. Hệ thống trang bị tụ lọc gợn sóng 400μF và tụ tách rời ~500μF/kênh, bố trí tối ưu cho từng mạch, đồng thời tách biệt độc lập cho mạch lặp catot và Equalizer.

Cấu trúc này hình thành 4 vòng lặp tín hiệu giúp loại bỏ nhiễu xuyên tầng. Các bóng bán dẫn TO3 chuyên dụng đảm bảo đường DC line trở kháng thấp, giữ vững độ tinh khiết và ổn định trước dao động điện áp. Bên cạnh đó, việc lựa chọn mạch CR cùng diode cầu lớn càng tăng thêm độ chi tiết và sức sống cho âm nhạc.